理論電子理論トランジスタ・増幅回路★★☆☆☆
MOS FET と CMOS の基礎
概要
MOS FET はゲート電圧で電流を制御する電界効果トランジスタで、p チャネル（pMOS）と n チャネル（nMOS）に分かれる。CMOS はこの両者を組み合わせた回路構成で、一方がオンのとき他方は必ずオフとなるため消費電力が小さく、デジタル IC の基本構成として広く使われる。CMOS インバータ（NOT 回路）の動作原理が論理回路の理解の出発点となる。
📖用語
MOS FET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）：金属・酸化物・半導体の積層構造をゲートに持つ電界効果トランジスタ。ゲート電圧によって電流を制御する。
CMOS（Complementary MOS）：pMOSとnMOSを組み合わせた相補的な回路構成。一方がオンのとき他方は必ずオフになるため消費電力が小さい。
GND（Ground、接地）：回路の基準電位（0 V）の点。電源電圧（VDD）の対となる基準点で、論理「0」の低電位を表す。
MOS FET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）は，金属・酸化物・半導体の積層構造をゲートにもつ電界効果トランジスタ。チャネルの極性によって p チャネル型（pMOS）と n チャネル型（nMOS）に分かれる。
pMOS と nMOS の違い
•pMOS：ゲートに低電位（0）でオン，高電位（1）でオフ
•nMOS：ゲートに高電位（1）でオン，低電位（0）でオフ
→ 入力に対して互いに逆の動作をする（相補的）
CMOS とは
CMOS（Complementary MOS）は pMOS と nMOS を組み合わせた回路構成。一方がオンのとき他方は必ずオフになるため，電源から GND への直流電流経路が生じず消費電力が小さい。
GND とは
GND（Ground，接地）は回路の基準電位 0 V の点。「出力 = GND」は出力が低電位（論理 0）であることを意味する。電源電圧（VDD）と GND の間に回路素子が接続される。
CMOS インバータ（NOT 回路）の動作
pMOS（電源側）と nMOS（GND 側）を直列接続：
入力 0（低電位）→ pMOS オン・nMOS オフ → 出力 = 電源電圧（論理 1）
入力 1（高電位）→ pMOS オフ・nMOS オン → 出力 = GND（論理 0）
→ 入力を反転して出力する NOT 回路（インバータ）として動作する
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