理論電子理論トランジスタ・増幅回路★★☆☆☆
バイポーラトランジスタとFETの特性比較
概要
バイポーラトランジスタ（BJT）とFETは，電流制御か電圧制御かという制御方式，使用キャリアの種類（双極性か単極性か），入力インピーダンスの高低，静電破壊への強さなどで大きく異なる。それぞれの特性の違いを整理して理解することが，素子選択や動作説明の問題で重要。
📖用語
バイポーラトランジスタ（BJT）：ベース電流によってコレクタ電流を制御する電流制御型の半導体素子。電子と正孔の両方がキャリアとして関与する（双極性）。
FET（電界効果トランジスタ）：ゲート電圧によって形成される電界でドレーン電流を制御する電圧制御型の半導体素子。単極性（電子または正孔の一方のみがキャリア）。
MOSFET：金属・酸化膜・半導体の積層構造を持つFETの一種。ゲート絶縁膜の存在により入力インピーダンスが非常に高い。静電気に弱い。
JFET：接合型FET。pn接合の空乏層でチャネルを制御する。MOSFETより静電破壊されにくい。
バイポーラトランジスタ（BJT）とは
ベース電流（少数キャリア）でコレクタ電流を制御する電流制御素子。pnp 形と npn 形がある。
FET（電界効果トランジスタ）とは
ゲート電圧で形成される電界によってドレーン電流を制御する電圧制御素子。MOSFET・JFET などがある。
| 特性 | バイポーラ（BJT） | FET |
|---|---|---|
| 制御方式 | 電流制御（ベース電流） | 電圧制御（ゲート電圧） |
| キャリア | 電子と正孔の両方（双極性） | 電子または正孔の一方（単極性） |
| 入力インピーダンス | 低い | 非常に高い |
| 消費電力 | 大きい（ベース電流あり） | 小さい（ゲート電流ほぼゼロ） |
| 静電破壊 | 比較的されにくい | されやすい（特にMOSFET） |
| 熱雑音 | 比較的大きい | 小さい |
使い方・ポイント
•BJT は「電流制御素子」，FET は「電圧制御素子」
•FET の入力インピーダンスは BJT より高い（ゲートにほぼ電流が流れない）
•FET は静電気で破壊されやすいため取り扱いに注意
•BJT のコレクタ電流は電子と正孔の両方が関与（双極性）
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