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2025年3月23日実施 理論 A問題 問11
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問題一覧
理論
電子理論
トランジスタ・増幅回路
出題頻度: ★☆☆☆☆
配点: 5点
2025年3月23日実施 理論 A問題 問11
電界効果トランジスタ(FET)に関する記述として,誤っているものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。
選択肢
(1)
接合形とMOS形に分類することができる。
(2)
ドレーンとソースとの間の電流の通路には,n形とp形がある。
(3)
MOS形はデプレション形とエンハンスメント形に分類できる。
(4)
ゲート電圧で自由電子又は正孔の移動を制御できる。
(5)
エンハンスメント形はゲート電圧に関係なくチャネルができる。
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解説
各選択肢を FET の特性と照合する。
各選択肢の解説
(1) 接合形(JFET)と MOS 形(MOSFET)に分類できる → 正しい。
(2) ドレーン・ソース間のチャネルには n 形と p 形がある → 正しい。
(3) MOS 形はデプレション形とエンハンスメント形に分類できる → 正しい。
(4) ゲート電圧で自由電子(n チャネル)または正孔(p チャネル)の移動を制御できる → 正しい。
(5) エンハンスメント形はゲート電圧に関係なくチャネルができる → 誤り。
誤りの理由
•
エンハンスメント形:ゲート電圧をかけることでチャネルが形成される。ゲート電圧なしではチャネルは存在しない(ノーマリーオフ)。
•
デプレション形:ゲート電圧なしでも初期チャネルが存在し(ノーマリーオン),ゲート電圧でチャネル幅を制御する。
(5)の記述は「ゲート電圧に関係なく」という部分がデプレション形の特徴を誤ってエンハンスメント形に当てはめている。
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答え:(5)
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