2024年8月18日実施 理論 A問題 問11

(1) バイポーラトランジスタは消費電力が FET より大きい → 正しい

BJT はベース電流が必要で，FET はゲート電流がほぼゼロのため，FET の消費電力が小さい。

(2) バイポーラトランジスタは静電気に対して FET より破壊されにくい → 正しい

MOSFET のゲート酸化膜は静電気（サージ電圧）で容易に破壊される。BJT は比較的強い。

(3) バイポーラトランジスタの入力インピーダンスは FET より低い → 正しい

BJT のベース−エミッタ間はpn接合で，電流が流れる → 入力インピーダンスは低い。

FET のゲートはほぼ絶縁されており，入力インピーダンスは非常に高い（MOSFETで10⁸ Ω 以上）。

(4) バイポーラトランジスタは電圧制御素子，FET は電流制御素子 → 誤り ✗

正しくは逆。BJT は「電流制御素子」（ベース電流でコレクタ電流を制御），FET は「電圧制御素子」（ゲート電圧でドレーン電流を制御）。

(5) コレクタ電流（BJT）は電子・正孔の両方，ドレーン電流（FET）は一方のみ → 正しい

BJT は双極性（bipolar）= 電子と正孔の両方がキャリア。FET は単極性（unipolar）= 片方のキャリアのみ。